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塊狀導(dǎo)體與二維（2D）材料（例如石墨烯）的穩(wěn)健的電接觸對于實(shí)際電子器件中使用這些2D材料是至關(guān)重要的。石墨烯的典型金屬接觸，無論是邊緣還是平面，都會產(chǎn)生不超過100Ω/μm的電阻率，但通常>10kΩ/μm。本文中，我們使用單晶石墨作為石墨烯的體接觸，而不是常規(guī)金屬。石墨觸點(diǎn)的傳輸長度比常規(guī)金屬觸點(diǎn)長四倍。此外，通過調(diào)整石墨和石墨烯晶體的相對取向，我們能夠?qū)⒔佑|電阻率降至6.6Ω/μm2。我們發(fā)現(xiàn)，接觸電阻率呈60°的周期對應(yīng)于晶體對稱性，在22°和39°附近急劇下降，這是扭曲的雙層石墨烯的相稱角度。
圖1.器件制備和實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)圖。
圖2.石墨烯器件的實(shí)驗(yàn)測量數(shù)據(jù)。
該工作已經(jīng)發(fā)表于Nano Lett上了。（DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01657，Nano Lett. 2016, 16, 4477?4482）
