國(guó)外知名石墨烯企業(yè)Graphenea日前開始對(duì)外銷售GFETs（石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管）新產(chǎn)品。Graphenea提供的GFETs（石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管）可以為氣體傳感器、生物傳感器或其他傳感器領(lǐng)域的科學(xué)研究提供高質(zhì)量的GFET器件。

國(guó)外知名石墨烯企業(yè)Graphenea日前開始對(duì)外銷售GFETs（石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管）新產(chǎn)品。該舉措進(jìn)一步降低了石墨烯應(yīng)用的障礙，特別是在傳感器市場(chǎng)。 Graphenea提供的GFETs（石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管）可以為氣體傳感器、生物傳感器或其他傳感器領(lǐng)域的科學(xué)研究提供高質(zhì)量的GFET器件。

Graphenea已經(jīng)上市的兩種用于傳感器領(lǐng)域的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括兩種標(biāo)準(zhǔn)的GFET-for-sensing配置，稱為GFET-S10和GFET-S20，每種均包括位于一平方厘米芯片上36個(gè)獨(dú)立的GFET，但器件布局不同。GFET-S10的器件均勻分布在芯片上，GFET-S20則集成在芯片中心，芯片邊緣有電氣焊盤。GFET-S20器件都具有用于探測(cè)電氣特性的雙探頭幾何結(jié)構(gòu)，而GFET-S10則包含30個(gè)霍爾條幾何結(jié)構(gòu)的器件和6個(gè)具有雙探頭幾何結(jié)構(gòu)的器件。除了石墨烯器件研究，生物電子學(xué)，生物傳感，化學(xué)傳感以及雙探頭幾何結(jié)構(gòu)允許的光電探測(cè)器之外，霍爾棒還可以進(jìn)行磁場(chǎng)傳感。

在接下來(lái)的幾個(gè)月里，Graphenea計(jì)劃推出定制設(shè)計(jì)服務(wù)，為同樣高質(zhì)量的GFET提供量身定制的安排。

Graphenea的新器件具有1000cm2 / V * s以上的特定載流子遷移率，低于2×1012cm-2的殘余電荷載流子密度，10至40V的狄拉克點(diǎn)以及高于75％的產(chǎn)率。 GFET是在標(biāo)準(zhǔn)的Si /SiO2襯底上制作的，具有Ni / Al金屬觸點(diǎn)。

1、GFET-S20 for Sensing applications

$385.00

GFET-S20（裸片尺寸10 mm x 10 mm） - 經(jīng)過1000級(jí)無(wú)塵室處理

Graphenea的GFET-S20芯片提供36個(gè)石墨烯器件，分布在四個(gè)象限中，器件位于芯片中心，探針焊盤位于芯片外圍附近。 所有設(shè)備都是雙探頭設(shè)備幾何形狀。

這些器件被安排在GFET-S20中，以允許在石墨烯器件的頂部上施加液滴而不覆蓋襯墊以在液體環(huán)境中進(jìn)行測(cè)量或使用液體介質(zhì)對(duì)器件進(jìn)行功能化。

性能參數(shù)：

·生長(zhǎng)方法：CVD合成

·芯片尺寸：10mm×10mm

·芯片厚度：675μm

·每個(gè)芯片的GFET數(shù)量：36

·柵氧化層厚度：90納米

·柵極氧化物材料：SiO₂

·基體電阻率：1-10Ω.cm

·金屬化：鎳/鋁140納米

·石墨烯場(chǎng)效應(yīng)遷移率：> 1000 cm² / V.s

·殘余電荷載體密度：<2×10¹² cm^-2

·Dirac點(diǎn)：10-40伏

·收率：> 75％

2、GFET-S10 for Sensing applications

$385.00

GFET-S10（裸片尺寸10 mm x 10 mm） - 經(jīng)過1000級(jí)無(wú)塵室處理

Graphenea公司的GFET-S10芯片在芯片上提供了36個(gè)以網(wǎng)格模式分布的石墨烯器件。 三十個(gè)設(shè)備具有霍爾條幾何形狀，六個(gè)具有兩個(gè)探頭幾何形狀。 霍爾棒設(shè)備可用于霍爾棒測(cè)量以及4探針和2探針設(shè)備。 有不同的石墨烯通道尺寸可以調(diào)查幾何結(jié)構(gòu)對(duì)器件性能的依賴性。

性能參數(shù)：

·生長(zhǎng)方法：CVD合成

·芯片尺寸：10mm×10mm

·芯片厚度：675μm

·每個(gè)芯片的GFET數(shù)量：36

·柵氧化層厚度：90納米

·柵極氧化物材料：SiO₂

·基體電阻率：1-10Ω.cm

·金屬化：鎳/鋁140納米

·石墨烯場(chǎng)效應(yīng)遷移率：> 1000 cm² / V.s

·殘余電荷載體密度：<2×10¹² cm^-2

·Dirac點(diǎn)：10-40伏

·收率：> 75％

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